Numărul de produs al producătorului:
SIHG70N60AEF-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHG70N60AEF-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 60A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventar:
447 Piese Noi Originale În Stoc
12786887
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHG70N60AEF-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
EF
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
410 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5348 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
417W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AC
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
SIHG70
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIHG70N60AEF-GE3-DG
742-SIHG70N60AEF-GE3
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPW60R045CPAFKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
83
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPW60R045CPAFKSA1-DG
PREȚ UNIC
12.42
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHB33N60ET5-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO263
SUP90N06-6M0P-E3
MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
SUB75P03-07-E3
MOSFET P-CH 30V 75A TO263
