Numărul de produs al producătorului:
IPW60R045CPAFKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPW60R045CPAFKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 60A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 60A (Tc) 431W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventar:
83 Piese Noi Originale În Stoc
12806991
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPW60R045CPAFKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 3mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6800 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
431W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IPW60R045
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP000539772
IPW60R045CPAFKSA1-DG
448-IPW60R045CPAFKSA1
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SPB160N04S203CTMA1
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
TN0104N3-G
MOSFET N-CH 40V 450MA TO92-3
VN2106N3-G
MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
