Numărul de produs al producătorului:
SUB75P03-07-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SUB75P03-07-E3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 30V 75A TO263
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 75A (Tc) 3.75W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12786899
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SUB75P03-07-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.75W (Ta), 187W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
SUB75
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SUB75P03-07-E3-DG
SUB75P0307E3
SUB75P03-07-E3CT
SUB75P03-07-E3DKR
SUB75P03-07-E3TR
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SUM110P04-05-E3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
46039
DiGi NUMĂR DE PARTE
SUM110P04-05-E3-DG
PREȚ UNIC
2.07
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SUD50P06-15-GE3
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
SIHA15N50E-E3
MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220
SUM40010EL-GE3
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
