Numărul de produs al producătorului:
SIHD6N65ET4-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHD6N65ET4-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12919094
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHD6N65ET4-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
E
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
820 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
78W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
SIHD6
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFA14N60P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
50
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFA14N60P-DG
PREȚ UNIC
2.25
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IXTA14N60P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
235
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTA14N60P-DG
PREȚ UNIC
2.12
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI5402BDC-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
SI4838DY-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
SIHP35N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB
