Numărul de produs al producătorului:
SI4838DY-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI4838DY-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
Descriere detaliată:
N-Channel 12 V 17A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
5370 Piese Noi Originale În Stoc
12919100
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI4838DY-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
12 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
17A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 25A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.6W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
SI4838
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI4838DY-T1-E3TR
SI4838DY-T1-E3CT
SI4838DYT1E3
SI4838DY-T1-E3DKR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHP35N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB
SIHG35N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC
SI4408DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
