Numărul de produs al producătorului:
SIHG35N60EF-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHG35N60EF-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 32A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventar:
12919103
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHG35N60EF-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
EF
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
97mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
134 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2568 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AC
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
SIHG35
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIHG35N60EF-GE3CTINACTIVE
SIHG35N60EF-GE3CT
SIHG35N60EF-GE3DKRINACTIVE
SIHG35N60EF-GE3TR
SIHG35N60EF-GE3TR-DG
SIHG35N60EF-GE3DKR
SIHG35N60EF-GE3DKR-DG
SIHG35N60EF-GE3CT-DG
Pachet standard
25
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXKH47N60C
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
141
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXKH47N60C-DG
PREȚ UNIC
14.94
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4408DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
SIR182DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
SQM100N02-3M5L_GE3
MOSFET N-CH 20V 100A TO263
