Numărul de produs al producătorului:
SIHB180N60E-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHB180N60E-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12786768
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHB180N60E-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Bulk
Serie
E
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1085 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
156W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
SIHB180
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIHB180N60E-GE3DKR-DG
SIHB180N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHB180N60E-GE3CT
SIHB180N60E-GE3TR
SIHB180N60E-GE3CTINACTIVE
SIHB180N60E-GE3DKR
SIHB180N60E-GE3TR-DG
SIHB180N60E-GE3CT-DG
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
R6024ENJTL
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
831
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6024ENJTL-DG
PREȚ UNIC
1.59
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STB28N65M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB28N65M2-DG
PREȚ UNIC
1.53
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPB65R150CFDAATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1192
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB65R150CFDAATMA1-DG
PREȚ UNIC
1.90
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPB60R165CPATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
3135
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB60R165CPATMA1-DG
PREȚ UNIC
2.21
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIRC06DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 32A/60A PPAK SO8
SIJ186DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
SIR670DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
