Numărul de produs al producătorului:
SIR606DP-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIR606DP-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 37A (Tc) 44.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
2885 Piese Noi Originale În Stoc
12786785
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIR606DP-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
37A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
16.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 6 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1360 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
44.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SIR606
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIR606DP-T1-GE3CT
SIR606DP-T1-GE3TR
SIR606DP-T1-GE3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RS3L045GNGZETB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
1173
DiGi NUMĂR DE PARTE
RS3L045GNGZETB-DG
PREȚ UNIC
0.25
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RS1G300GNTB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
16767
DiGi NUMĂR DE PARTE
RS1G300GNTB-DG
PREȚ UNIC
0.82
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHA24N65EF-E3
MOSFET N-CHANNEL 650V 24A TO220
SIS108DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 6.7A/16A PPAK
SQD50N04-5M6_GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
