RS1G300GNTB

Numărul de produs al producătorului:

RS1G300GNTB

Product Overview

Producător:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

RS1G300GNTB-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP

Descriere detaliată:

N-Channel 40 V 30A (Ta) 3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

Inventar:

16767 Piese Noi Originale În Stoc

13525845

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

RS1G300GNTB Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

ROHM Semiconductor

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

40 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

30A (Ta)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

56.8 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

4230 pF @ 20 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

3W (Ta), 35W (Tc)

Temperatura

150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

8-HSOP

Pachet / Carcasă

8-PowerTDFN

Numărul de bază al produsului

RS1G

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

RS1G300GN HSMT8 TB Taping Spec

Informații suplimentare

Alte nume

RS1G300GNTBCT

RS1G300GNTBTR

RS1G300GNTBDKR

Pachet standard

2,500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

rohm-semi

RTL035N03FRATR

MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6

rohm-semi

RW1C020UNT2R

MOSFET N-CH 20V 2A 6WEMT

rohm-semi

RSD131P10TL

MOSFET P-CH 100V 13A CPT3

rohm-semi

US5U3TR

MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5