Numărul de produs al producătorului:
IPB65R150CFDAATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB65R150CFDAATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
1192 Piese Noi Originale În Stoc
13063993
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB65R150CFDAATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
CoolMOS™
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Starea piesei
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
22.4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 900µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2340 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
195.3W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IPB65R150
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
448-IPB65R150CFDAATMA1DKR
448-IPB65R150CFDAATMA1CT
IFEINFIPB65R150CFDAATMA1
2156-IPB65R150CFDAATMA1
448-IPB65R150CFDAATMA1TR
IPB65R150CFDAATMA1-ND
SP000928270
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPA50R380CEXKSA2
MOSFET N-CH 500V 6.3A TO220
BUZ73E3046XK
MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
IPB100N06S205ATMA1
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
