Numărul de produs al producătorului:
SIB437EDKT-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIB437EDKT-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 8V 9A PPAK TSC75-6
Descriere detaliată:
P-Channel 8 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® TSC75-6
Inventar:
12786981
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIB437EDKT-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
8 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±5V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® TSC75-6
Pachet / Carcasă
PowerPAK® TSC-75-6
Numărul de bază al produsului
SIB437
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIB437EDKT-T1-GE3-DG
SIB437EDKT-T1-GE3TR
SIB437EDKT-T1-GE3CT
SIB437EDKT-T1-GE3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHP12N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
SIHA25N50E-E3
MOSFET N-CH 500V 26A TO220
SIR172DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8