Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SIHP12N50C-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHP12N50C-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 208W (Tc) Through Hole
Inventar:
RFQ Online
12786985
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHP12N50C-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
555mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1375 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
208W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SIHP12
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
SIH(P,B,F)12N50C-E3
Informații suplimentare
Alte nume
SIHP12N50C-E3TRINACTIVE
SIHP12N50C-E3TR-DG
SIHP12N50C-E3CT-DG
SIHP12N50C-E3DKR
SIHP12N50C-E3DKRINACTIVE
SIHP12N50C-E3CT
SIHP12N50C-E3DKR-DG
SIHP12N50C-E3TR
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFP12N50P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
300
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFP12N50P-DG
PREȚ UNIC
1.71
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STP11NK50Z
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
826
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP11NK50Z-DG
PREȚ UNIC
1.27
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STP11NK40Z
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
78
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP11NK40Z-DG
PREȚ UNIC
0.75
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IXTP6N50D2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
2275
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTP6N50D2-DG
PREȚ UNIC
4.59
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHA25N50E-E3
MOSFET N-CH 500V 26A TO220
SIR172DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
SUP40N25-60-E3
MOSFET N-CH 250V 40A TO220AB
SIS126DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK