Numărul de produs al producătorului:
SUP40N25-60-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SUP40N25-60-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 40A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 40A (Tc) 3.75W (Ta), 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
475 Piese Noi Originale În Stoc
12786992
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SUP40N25-60-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.75W (Ta), 300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SUP40
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SUP40N25-60-E3TR
SUP40N25-60-E3CT
SUP40N25-60-E3CT-DG
SUP40N2560E3
SUP40N25-60-E3TRINACTIVE
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIS126DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK
SIHB22N60S-GE3
MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
SUM90N10-8M2P-E3
MOSFET N-CH 100V 90A TO263
