SIHB22N60S-GE3
Numărul de produs al producătorului:

SIHB22N60S-GE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SIHB22N60S-GE3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

12787000
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SIHB22N60S-GE3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
S
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2810 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
SIHB22

Informații suplimentare

Pachet standard
800

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
SPB21N50C3ATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2928
DiGi NUMĂR DE PARTE
SPB21N50C3ATMA1-DG
PREȚ UNIC
2.00
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
R6020KNJTL
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
1540
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6020KNJTL-DG
PREȚ UNIC
1.47
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IXFA22N65X2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
250
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFA22N65X2-DG
PREȚ UNIC
2.56
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
AOB25S65L
PRODUCĂTOR
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
1670
DiGi NUMĂR DE PARTE
AOB25S65L-DG
PREȚ UNIC
1.72
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STB28N65M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB28N65M2-DG
PREȚ UNIC
1.53
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SUM90N10-8M2P-E3

MOSFET N-CH 100V 90A TO263

vishay-siliconix

SUD50P10-43-E3

MOSFET P-CH 100V 38A TO252

vishay-siliconix

SIHFB20N50K-E3

MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB

vishay-siliconix

SIHP21N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB