Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SPB21N50C3ATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
SPB21N50C3ATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3
Descriere detaliată:
N-Channel 560 V 21A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
2928 Piese Noi Originale În Stoc
12807539
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SPB21N50C3ATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
560 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2400 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
208W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3-2
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
SPB21N50
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
SPB21N50C3ATMA1-DG
Fișe tehnice
SPB21N50C3ATMA1
Informații suplimentare
Alte nume
SPB21N50C3XT
SPB21N50C3INCT
SPB21N50C3INCT-DG
SPB21N50C3INTR-DG
INFINFSPB21N50C3ATMA1
SPB21N50C3ATMA1CT
Q2088067
SPB21N50C3
SPB21N50C3INTR
SPB21N50C3-DG
SPB21N50C3ATMA1DKR
SPB21N50C3INDKR-DG
2156-SPB21N50C3ATMA1
SPB21N50C3ATMA1TR
SPB21N50C3INDKR
SP000013833
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SPB10N10
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3
IRLL014NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRLL024ZPBF
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
IRFR3412TRPBF
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK