Numărul de produs al producătorului:
SIA108DJ-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIA108DJ-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 6.6A (Ta), 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventar:
5494 Piese Noi Originale În Stoc
12919651
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIA108DJ-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.6A (Ta), 12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
38mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
545 pF @ 40 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SC-70-6
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SC-70-6
Numărul de bază al produsului
SIA108
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIA108DJ-T1-GE3TR-DG
SIA108DJ-T1-GE3DKR
SIA108DJ-T1-GE3CT
742-SIA108DJ-T1-GE3CT
SIA108DJ-T1-GE3TR
742-SIA108DJ-T1-GE3TR
SIA108DJ-T1-GE3DKR-DG
742-SIA108DJ-T1-GE3DKR
SIA108DJ-T1-GE3CT-DG
2266-SIA108DJ-T1-GE3TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHB20N50E-GE3
MOSFET N-CH 500V 19A D2PAK
SI5475DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
BUK9510-100B,127
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
