Numărul de produs al producătorului:
SIHB20N50E-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHB20N50E-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 19A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 19A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
2658 Piese Noi Originale În Stoc
12919659
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
Hprv
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHB20N50E-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
184mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1640 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
179W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
SIHB20
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI5475DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
BUK9510-100B,127
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
SI4860DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
