Numărul de produs al producătorului:
SI5475DC-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI5475DC-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
Descriere detaliată:
P-Channel 12 V 5.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventar:
12919663
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI5475DC-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
12 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
31mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 1mA (Min)
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.3W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
1206-8 ChipFET™
Pachet / Carcasă
8-SMD, Flat Lead
Numărul de bază al produsului
SI5475
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RT1A050ZPTR
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
7984
DiGi NUMĂR DE PARTE
RT1A050ZPTR-DG
PREȚ UNIC
0.33
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BUK9510-100B,127
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
SI4860DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
SI7404DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8
