Numărul de produs al producătorului:
RT1A050ZPTR
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RT1A050ZPTR-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 12V 5A 8TSST
Descriere detaliată:
P-Channel 12 V 5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
Inventar:
7984 Piese Noi Originale În Stoc
13526544
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RT1A050ZPTR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
12 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2800 pF @ 6 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
600mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-TSST
Pachet / Carcasă
8-SMD, Flat Lead
Numărul de bază al produsului
RT1A050
Fișa de date și documente
Resurse de proiectare
Documente de fiabilitate
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RT1A050ZPDKR
RT1A050ZPCT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RV2C001ZPT2L
MOSFET P-CH 20V 100MA DFN1006-3
RJU002N06FRAT106
MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
R6011ENX
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
