SI7386DP-T1-GE3
Numărul de produs al producătorului:

SI7386DP-T1-GE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SI7386DP-T1-GE3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 12A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventar:

32706 Piese Noi Originale În Stoc
12965737
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SI7386DP-T1-GE3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.8W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SI7386

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
SI7386DP-T1-GE3DKR
SI7386DP-T1-GE3TR
SI7386DP-T1-GE3CT
SI7386DPT1GE3
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
toshiba-semiconductor-and-storage

TK6R8A08QM,S4X

UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8MOHM

rohm-semi

R6070JNZ4C13

600V 70A TO-247, PRESTOMOS WITH

rohm-semi

R6507END3TL1

650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER

abb-power-conversion

FSS2100-G

FSS2100-G