Numărul de produs al producătorului:
TK6R8A08QM,S4X
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK6R8A08QM,S4X-DG
Descriere:
UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8MOHM
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 58A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
40 Piese Noi Originale În Stoc
12965739
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK6R8A08QM,S4X Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
U-MOSX-H
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 500µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2700 pF @ 40 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
41W (Tc)
Temperatura
175°C
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220SIS
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
264-TK6R8A08QM,S4X
TK6R8A08QM,S4X(S
264-TK6R8A08QM,S4X-DG
264-TK6R8A08QMS4X
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
R6070JNZ4C13
600V 70A TO-247, PRESTOMOS WITH
R6507END3TL1
650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER
FSS2100-G
FSS2100-G
