Numărul de produs al producătorului:
R6507END3TL1
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
R6507END3TL1-DG
Descriere:
650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventar:
2477 Piese Noi Originale În Stoc
12965763
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
R6507END3TL1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
665mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
390 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
78W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
R6507
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
846-R6507END3TL1CT
846-R6507END3TL1TR
846-R6507END3TL1DKR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FSS2100-G
FSS2100-G
SIJH440E-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
SI7121DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
