Numărul de produs al producătorului:
SI4838BDY-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI4838BDY-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 12V 34A 8SO
Descriere detaliată:
N-Channel 12 V 34A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
48 Piese Noi Originale În Stoc
12919072
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI4838BDY-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
12 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5760 pF @ 6 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
SI4838
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI4838BDY-T1-GE3TR
SI4838BDY-T1-GE3DKR
SI4838BDY-T1-GE3CT
SI4838BDYT1GE3
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
DMG4407SSS-13
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
20733
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMG4407SSS-13-DG
PREȚ UNIC
0.17
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4354DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
SI4829DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2A 8SO
SIHU3N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 3A TO251AA
