Numărul de produs al producătorului:
SI4829DY-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI4829DY-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 2A 8SO
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 2A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12919089
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI4829DY-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
LITTLE FOOT®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
215mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
210 pF @ 10 V
Caracteristică FET
Schottky Diode (Isolated)
Disiparea puterii (max)
2W (Ta), 3.1W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
SI4829
Informații suplimentare
Alte nume
SI4829DY-T1-GE3CT
SI4829DYT1GE3
SI4829DY-T1-GE3TR
SI4829DY-T1-GE3DKR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHU3N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 3A TO251AA
SIHD6N65ET4-GE3
MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
SI5402BDC-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
