Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SI4214DY-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI4214DY-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 8.5A 3.1W Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
RFQ Online
12915153
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI4214DY-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8.5A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
23.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
785pF @ 15V
Putere - Max
3.1W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Numărul de bază al produsului
SI4214
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
SI4214DY-T1-GE3-DG
Fișe tehnice
SI4214DY-T1-GE3
Informații suplimentare
Alte nume
SI4214DY-T1-GE3DKR
SI4214DY-T1-GE3CT
SI4214DY-T1-GE3-DG
SI4214DY-T1-GE3TR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
BSO220N03MDGXUMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
15156
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSO220N03MDGXUMA1-DG
PREȚ UNIC
0.31
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STS8DN3LLH5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
4849
DiGi NUMĂR DE PARTE
STS8DN3LLH5-DG
PREȚ UNIC
0.60
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STS10DN3LH5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
11163
DiGi NUMĂR DE PARTE
STS10DN3LH5-DG
PREȚ UNIC
0.47
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FDS6912A
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
6968
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDS6912A-DG
PREȚ UNIC
0.24
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
ZXMN3F31DN8TA
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
5388
DiGi NUMĂR DE PARTE
ZXMN3F31DN8TA-DG
PREȚ UNIC
0.27
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI1016X-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89
SI4943CDY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC
SI4936CDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
SI5935CDC-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8