Numărul de produs al producătorului:
FDS6912A
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDS6912A-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 6A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
6968 Piese Noi Originale În Stoc
12849585
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDS6912A Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8.1nC @ 5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
575pF @ 15V
Putere - Max
900mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Numărul de bază al produsului
FDS69
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-FDS6912A-OS
FAIFSCFDS6912A
FDS6912ATR
FDS6912ADKR
FDS6912ACT
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AON7611
MOSFET N/P-CH 30V 9A/18.5A 8DFN
FW4604-TL-2W
MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC
AO4852
MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
