ZXMN3F31DN8TA

Numărul de produs al producătorului:

ZXMN3F31DN8TA

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

ZXMN3F31DN8TA-DG

Descriere:

MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SO

Descriere detaliată:

Mosfet Array 30V 5.7A 1.8W Surface Mount 8-SO

Inventar:

5388 Piese Noi Originale În Stoc

12886386

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

ZXMN3F31DN8TA Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri

Producător

Diodes Incorporated

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Starea produsului

Active

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Configurație

2 N-Channel (Dual)

Caracteristică FET

Logic Level Gate

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

5.7A

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

12.9nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

608pF @ 15V

Putere - Max

1.8W

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Carcasă

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pachet dispozitiv furnizor

8-SO

Numărul de bază al produsului

ZXMN3

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

ZXMN3F31DN8TA-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

ZXMN3F31DN8TR

1034-ZXMN3F31DN8CT

ZXMN3F31DN8CT

ZXMN3F31DN8DKR

1034-ZXMN3F31DN8TR

1034-ZXMN3F31DN8DKR

Pachet standard

500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

diodes

ZXMHC3F381N8TC

MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO

diodes

ZXMN3A04DN8TA

MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO

diodes

ZXMD63C02XTC

MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP

diodes

ZXMC3A16DN8TC

MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO