IRF820S
Numărul de produs al producătorului:

IRF820S

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

IRF820S-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 2.5A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

12908436
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IRF820S Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
360 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.1W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IRF820

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
*IRF820S
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
IRF820SPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
590
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF820SPBF-DG
PREȚ UNIC
0.69
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

IRFIB7N50A

MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3

littelfuse

IXTY8N65X2

MOSFET N-CH 650V 8A TO252

littelfuse

IXFX20N80Q

MOSFET N-CH 800V 20A PLUS247-3

littelfuse

IXFT140N10P

MOSFET N-CH 100V 140A TO268