Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IXTY8N65X2
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTY8N65X2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 8A TO252
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
20 Piese Noi Originale În Stoc
12908474
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTY8N65X2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Ultra X2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
800 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IXTY8
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
650V Ultra Junction X2-Class POWER MOSFETs
Building, Home Automation Appl Guide
Informații suplimentare
Alte nume
-1402-IXTY8N65X2
Pachet standard
70
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STD12N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
4977
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD12N60M2-DG
PREȚ UNIC
0.59
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
SPD07N60C3ATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
4363
DiGi NUMĂR DE PARTE
SPD07N60C3ATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.96
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPD60R600P7SAUMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
9704
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD60R600P7SAUMA1-DG
PREȚ UNIC
0.25
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STD8N65M5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
2230
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD8N65M5-DG
PREȚ UNIC
1.06
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STD10N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
6542
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD10N60M2-DG
PREȚ UNIC
0.53
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFX20N80Q
MOSFET N-CH 800V 20A PLUS247-3
IXFT140N10P
MOSFET N-CH 100V 140A TO268
IXFX55N50
MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247-3
IRLL1905TR
MOSFET N-CH 55V 1.6A SOT223