Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IRFIB7N50A
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFIB7N50A-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 6.6A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
RFQ Online
12908439
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFIB7N50A Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
520mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1423 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
60W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numărul de bază al produsului
IRFIB7
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IRFIB7N50A-DG
Fișe tehnice
IRFIB7N50A
Informații suplimentare
Alte nume
*IRFIB7N50A
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFIB7N50APBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
813
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFIB7N50APBF-DG
PREȚ UNIC
1.31
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMĂRUL PARTEI
STP11NK50ZFP
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
154
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP11NK50ZFP-DG
PREȚ UNIC
1.30
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
TK11A50D(STA4,Q,M)
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK11A50D(STA4,Q,M)-DG
PREȚ UNIC
0.82
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FQPF13N50CF
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
719
DiGi NUMĂR DE PARTE
FQPF13N50CF-DG
PREȚ UNIC
1.30
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FDPF16N50UT
PRODUCĂTOR
Fairchild Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
373
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDPF16N50UT-DG
PREȚ UNIC
1.24
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTY8N65X2
MOSFET N-CH 650V 8A TO252
IXFX20N80Q
MOSFET N-CH 800V 20A PLUS247-3
IXFT140N10P
MOSFET N-CH 100V 140A TO268
IXFX55N50
MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247-3