Numărul de produs al producătorului:
IRF820PBF-BE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF820PBF-BE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 2.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12972448
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF820PBF-BE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
360 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IRF820
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-IRF820PBF-BE3
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF820PBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
1744
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF820PBF-DG
PREȚ UNIC
0.47
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PJW5P06A_R2_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ4414P_R2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
G01N20LE
MOSFET N-CH ESD 200V 1.7A SOT-23
