G01N20LE

Numărul de produs al producătorului:

G01N20LE

Product Overview

Producător:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

G01N20LE-DG

Descriere:

MOSFET N-CH ESD 200V 1.7A SOT-23

Descriere detaliată:

N-Channel 1.7A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3

Inventar:

51000 Piese Noi Originale În Stoc

12972460

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

G01N20LE Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Goford Semiconductor

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

TrenchFET®

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

1.7A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Vgs (Max)

±20V

Caracteristică FET

Standard

Disiparea puterii (max)

1.5W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

SOT-23-3

Pachet / Carcasă

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

4822-G01N20LETR

Pachet standard

3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

RoHS non-compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

3 (168 Hours)

Starea REACH

Vendor Undefined

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

wolfspeed

C3M0045065J1

650V 45 M SIC MOSFET

NTMFS4983NBFT1G

MOSFET N-CH 30V 22A/106A 5DFN

panjit

PJQ5474A_R2_00001

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

panjit

PJC7403_R1_00001

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M