C3M0045065J1

Numărul de produs al producătorului:

C3M0045065J1

Product Overview

Producător:

Wolfspeed, Inc.

DiGi Electronics Cod de parte:

C3M0045065J1-DG

Descriere:

650V 45 M SIC MOSFET

Descriere detaliată:

N-Channel 650 V 47A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount TO-263-7

Inventar:

1475 Piese Noi Originale În Stoc

12972464

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

C3M0045065J1 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Wolfspeed

Ambalare

Tube

Serie

C3M™

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

650 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

47A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

15V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 17.6A, 15V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.6V @ 4.84mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

61 nC @ 15 V

Vgs (Max)

+19V, -8V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1621 pF @ 400 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

147W (Tc)

Temperatura

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

TO-263-7

Pachet / Carcasă

TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

C3M0045065J1-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

1697-C3M0045065J1

-3312-C3M0045065J1

Pachet standard

50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

3 (168 Hours)

Starea REACH

REACH Affected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

NTMFS4983NBFT1G

MOSFET N-CH 30V 22A/106A 5DFN

panjit

PJQ5474A_R2_00001

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

panjit

PJC7403_R1_00001

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJQ4413P_R2_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M