Numărul de produs al producătorului:
SSM3J09FU,LF
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
SSM3J09FU,LF-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 30V 200MA USM
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount USM
Inventar:
6123 Piese Noi Originale În Stoc
12889261
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SSM3J09FU,LF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
3.3V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.7Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 100µA
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
22 pF @ 5 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150mW (Ta)
Temperatura
150°C
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
USM
Pachet / Carcasă
SC-70, SOT-323
Numărul de bază al produsului
SSM3J09
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SSM3J09FU,LF(B
SSM3J09FULFCT
SSM3J09FULFDKR
SSM3J09FULFTR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TK7S10N1Z,LQ
MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
TK20A60W5,S5VX
MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
DMN3025LFV-7
MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333
