Numărul de produs al producătorului:
SSM3J56MFV,L3F
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
SSM3J56MFV,L3F-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Inventar:
388333 Piese Noi Originale În Stoc
12889271
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SSM3J56MFV,L3F Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
800mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
390mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
100 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
VESM
Pachet / Carcasă
SOT-723
Numărul de bază al produsului
SSM3J56
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SSM3J56MFVL3F(TTR
SSM3J56MFVL3F(TDKR
SSM3J56MFVL3F(TTR-DG
SSM3J56MFVL3FT
SSM3J56MFVL3F(TCT
SSM3J56MFVL3FCT
SSM3J56MFVL3F(TCT-DG
SSM3J56MFVL3F(TDKR-DG
SSM3J56MFVL3FDKR
SSM3J56MFVL3FTR
SSM3J56MFV,L3F(T
SSM3J56MFV,L3F(B
Pachet standard
8,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SSM3J114TU(TE85L)
MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
SSM3J356R,LF
MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
SSM3K131TU,LF
MOSFET N-CH 30V 6A UFM
