Numărul de produs al producătorului:
TK20A60W5,S5VX
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK20A60W5,S5VX-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 20A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
50 Piese Noi Originale În Stoc
12889267
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK20A60W5,S5VX Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
DTMOSIV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
175mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 300 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
45W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220SIS
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
TK20A60
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TK20A60W5,S5VX-DG
TK20A60W5S5VX
TK20A60W5,S5VX(M
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMN3025LFV-7
MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333
SSM3J56MFV,L3F
MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
SSM3J114TU(TE85L)
MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
