Numărul de produs al producătorului:
RN2115MFV,L3F
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
RN2115MFV,L3F-DG
Descriere:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Inventar:
7988 Piese Noi Originale În Stoc
12890888
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RN2115MFV,L3F Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Transistoare bipolare pre-biasate simple
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
PNP - Pre-Biased
Curent - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50 V
Rezistor - Bază (R1)
2.2 kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
10 kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
500nA
Putere - Max
150 mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-723
Pachet dispozitiv furnizor
VESM
Numărul de bază al produsului
RN2115
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RN2115MFVL3F
264-RN2115MFV,L3FDKR
264-RN2115MFV,L3FTR
264-RN2115MFV,L3FCT
RN2115MFVL3F-DG
Pachet standard
8,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RN1111ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
RN1112(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN2106ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
