RN2106ACT(TPL3)
Numărul de produs al producătorului:

RN2106ACT(TPL3)

Product Overview

Producător:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Cod de parte:

RN2106ACT(TPL3)-DG

Descriere:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3

Inventar:

10000 Piese Noi Originale În Stoc
12890923
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
XIfw
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

RN2106ACT(TPL3) Specificații tehnice

Categorie
Bipolar (BJT), Transistoare bipolare pre-biasate simple
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
PNP - Pre-Biased
Curent - Colector (Ic) (Max)
80 mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50 V
Rezistor - Bază (R1)
4.7 kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
47 kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
500nA
Putere - Max
100 mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SC-101, SOT-883
Pachet dispozitiv furnizor
CST3
Numărul de bază al produsului
RN2106

Informații suplimentare

Alte nume
RN2106ACT(TPL3)CT
RN2106ACT(TPL3)DKR
RN2106ACT(TPL3)TR
Pachet standard
10,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2401,LF

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1414,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1424TE85LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2117MFV,L3F

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM