Numărul de produs al producătorului:
RN1112(T5L,F,T)
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
RN1112(T5L,F,T)-DG
Descriere:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Inventar:
12890901
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RN1112(T5L,F,T) Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Transistoare bipolare pre-biasate simple
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip tranzistor
NPN - Pre-Biased
Curent - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50 V
Rezistor - Bază (R1)
22 kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
100nA (ICBO)
Frecvență - Tranziție
250 MHz
Putere - Max
100 mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SC-75, SOT-416
Pachet dispozitiv furnizor
SSM
Numărul de bază al produsului
RN1112
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RN1112(T5LFT)CT
RN1112(T5LFT)DKR
RN1112(T5LFT)TR
RN1112T5LFT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RN2106ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
RN2401,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
RN1414,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI