Numărul de produs al producătorului:
RN1130MFV,L3F
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
RN1130MFV,L3F-DG
Descriere:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VESM
Inventar:
7533 Piese Noi Originale În Stoc
12889348
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RN1130MFV,L3F Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Transistoare bipolare pre-biasate simple
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
NPN - Pre-Biased
Curent - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50 V
Rezistor - Bază (R1)
100 kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
100 kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
500nA
Frecvență - Tranziție
250 MHz
Putere - Max
150 mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-723
Pachet dispozitiv furnizor
VESM
Numărul de bază al produsului
RN1130
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RN1130MFV(TL3,T)
RN1130MFV,L3F(T
RN1130MFVTL3T
RN1130MFVL3FCT
RN1130MFVL3F-DG
RN1130MFV(TL3T)DKR
RN1130MFV(TL3T)CT
RN1130MFV,L3F(B
RN1130MFVL3FTR
RN1130MFV(TL3T)CT-DG
RN1130MFVL3FINACTIVE
RN1130MFVL3FDKR
RN1130MFVL3F
RN1130MFV(TL3T)TR
RN1130MFV(TL3T)DKR-DG
RN1130MFV(TL3T)TR-DG
Pachet standard
8,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RN1101CT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
RN2405,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
RN1113ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3