RN1113ACT(TPL3)
Numărul de produs al producătorului:

RN1113ACT(TPL3)

Product Overview

Producător:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Cod de parte:

RN1113ACT(TPL3)-DG

Descriere:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3

Inventar:

9990 Piese Noi Originale În Stoc
12889365
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

RN1113ACT(TPL3) Specificații tehnice

Categorie
Bipolar (BJT), Transistoare bipolare pre-biasate simple
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Cut Tape (CT)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
NPN - Pre-Biased
Curent - Colector (Ic) (Max)
80 mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50 V
Rezistor - Bază (R1)
47 kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
100nA (ICBO)
Putere - Max
100 mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SC-101, SOT-883
Pachet dispozitiv furnizor
CST3
Numărul de bază al produsului
RN1113

Informații suplimentare

Alte nume
RN1113ACT(TPL3)DKR
RN1113ACT(TPL3)TR
RN1113ACT(TPL3)CT
Pachet standard
10,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
PDTC144TM,315
PRODUCĂTOR
NXP Semiconductors
CANTITATE DISPONIBILĂ
38937
DiGi NUMĂR DE PARTE
PDTC144TM,315-DG
PREȚ UNIC
0.03
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1406,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1415(TE85L,F)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

diodes

DDTA113ZE-7-F

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT523

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1108(T5L,F,T)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM