RN1101CT(TPL3)
Numărul de produs al producătorului:

RN1101CT(TPL3)

Product Overview

Producător:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Cod de parte:

RN1101CT(TPL3)-DG

Descriere:

TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20 V 50 mA 50 mW Surface Mount CST3

Inventar:

12889351
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

RN1101CT(TPL3) Specificații tehnice

Categorie
Bipolar (BJT), Transistoare bipolare pre-biasate simple
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip tranzistor
NPN - Pre-Biased
Curent - Colector (Ic) (Max)
50 mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
20 V
Rezistor - Bază (R1)
4.7 kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
4.7 kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
500nA
Putere - Max
50 mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SC-101, SOT-883
Pachet dispozitiv furnizor
CST3
Numărul de bază al produsului
RN1101

Informații suplimentare

Alte nume
RN1101CT(TPL3)DKR
RN1101CT(TPL3)TR
RN1101CT(TPL3)CT
Pachet standard
10,000

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2405,LF

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1113ACT(TPL3)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1406,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1415(TE85L,F)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI