Numărul de produs al producătorului:
RN1101MFV,L3F(CT
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
RN1101MFV,L3F(CT-DG
Descriere:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Inventar:
6911 Piese Noi Originale În Stoc
13275902
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
7XdF
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RN1101MFV,L3F(CT Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Transistoare bipolare pre-biasate simple
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
NPN - Pre-Biased
Curent - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50 V
Rezistor - Bază (R1)
4.7 kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
4.7 kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
500nA
Putere - Max
150 mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-723
Pachet dispozitiv furnizor
VESM
Numărul de bază al produsului
RN1101
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RN1101MFV,L3F(CB
264-RN1101MFVL3F(DKR
264-RN1101MFVL3F(TR
264-RN1101MFVL3F(CT
Pachet standard
8,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RN1410,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
RN1106MFV,L3F(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN2410,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
