RN1410,LF
Numărul de produs al producătorului:

RN1410,LF

Product Overview

Producător:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Cod de parte:

RN1410,LF-DG

Descriere:

TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini

Inventar:

4500 Piese Noi Originale În Stoc
13275903
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

RN1410,LF Specificații tehnice

Categorie
Bipolar (BJT), Transistoare bipolare pre-biasate simple
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
NPN - Pre-Biased
Curent - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50 V
Rezistor - Bază (R1)
4.7 kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
100nA (ICBO)
Frecvență - Tranziție
250 MHz
Putere - Max
200 mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pachet dispozitiv furnizor
S-Mini
Numărul de bază al produsului
RN1410

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
264-RN1410LFTR
RN1410,LF(B
264-RN1410LFCT
264-RN1410LFDKR
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1106MFV,L3F(CT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2410,LF

TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1310,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1103MFV,L3F(CT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM