RN1310,LF
Numărul de produs al producătorului:

RN1310,LF

Product Overview

Producător:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Cod de parte:

RN1310,LF-DG

Descriere:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SC-70

Inventar:

2742 Piese Noi Originale În Stoc
13275906
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

RN1310,LF Specificații tehnice

Categorie
Bipolar (BJT), Transistoare bipolare pre-biasate simple
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
NPN - Pre-Biased
Curent - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50 V
Rezistor - Bază (R1)
4.7 kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
100nA (ICBO)
Frecvență - Tranziție
250 MHz
Putere - Max
100 mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SC-70, SOT-323
Pachet dispozitiv furnizor
SC-70
Numărul de bază al produsului
RN1310

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
RN1310,LF(B
264-RN1310LFTR
264-RN1310LFDKR
264-RN1310LFCT
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1103MFV,L3F(CT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1105MFV,L3F(CT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

diodes

ADTC144VCAQ-13

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

micro-commercial-components

DTC143ZUA-TP

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323