Numărul de produs al producătorului:

TSM60NB380CH

Product Overview

Producător:

Taiwan Semiconductor Corporation

DiGi Electronics Cod de parte:

TSM60NB380CH-DG

Descriere:

600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW

Descriere detaliată:

N-Channel 600 V 9.5A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)

Inventar:

RFQ Online

13374190

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

TSM60NB380CH Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Taiwan Semiconductor

Ambalare

Tube

Serie

-

Ambalaj

Tube

Starea piesei

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

600 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

9.5A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 2.85A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

19.4 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

795 pF @ 100 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

83W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-251 (IPAK)

Pachet / Carcasă

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Numărul de bază al produsului

TSM60

Informații suplimentare

Alte nume

1801-TSM60NB380CH

Pachet standard

15,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

TSM60NB1R4CH

600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER

SI4190BDY-T1-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO-

SIRS4301DP-T1-GE3

P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

SISS4402DN-T1-GE3

N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE