Numărul de produs al producătorului:
SIRS4301DP-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIRS4301DP-T1-GE3-DG
Descriere:
P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 53.7A (Ta), 227A (Tc) 7.4W (Ta), 132W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
13374269
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIRS4301DP-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Starea piesei
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
53.7A (Ta), 227A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
255 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
19750 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
7.4W (Ta), 132W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SIRS4301
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-SIRS4301DP-T1-GE3TR
742-SIRS4301DP-T1-GE3CT
742-SIRS4301DP-T1-GE3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SISS4402DN-T1-GE3
N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
SISS5623DN-T1-GE3
P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
TSM10ND65CI
650V, 10A, SINGLE N-CHANNEL POW