Numărul de produs al producătorului:
SI4190BDY-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI4190BDY-T1-GE3-DG
Descriere:
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO-
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 12A (Ta), 17A (Tc) 3.8W (Ta), 8.4W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
8858 Piese Noi Originale În Stoc
13374259
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
x5M5
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI4190BDY-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Starea piesei
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Ta), 17A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4150 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.8W (Ta), 8.4W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
SI4190
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-SI4190BDY-T1-GE3CT
742-SI4190BDY-T1-GE3DKR
742-SI4190BDY-T1-GE3TR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIRS4301DP-T1-GE3
P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
SISS4402DN-T1-GE3
N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
SISS5623DN-T1-GE3
P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
