Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
STWA50N65DM2AG
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STWA50N65DM2AG-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 38A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 38A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
RFQ Online
12880453
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STWA50N65DM2AG Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
MDmesh™ DM2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
87mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3200 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
STWA50
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
STWA50N65DM2AG
Informații suplimentare
Pachet standard
600
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TK39N60W5,S1VF
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
3172
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK39N60W5,S1VF-DG
PREȚ UNIC
2.99
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
TK31N60X,S1F
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
20
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK31N60X,S1F-DG
PREȚ UNIC
2.57
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
FCH47N60-F133
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
297
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCH47N60-F133-DG
PREȚ UNIC
6.39
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
TK35N65W,S1F
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
15
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK35N65W,S1F-DG
PREȚ UNIC
3.78
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFX64N60P3
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
1060
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFX64N60P3-DG
PREȚ UNIC
8.28
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STB6NK60Z-1
MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK
STL24NM60N
MOSFET N-CH 600V 16A POWERFLAT
STB25NM50N-1
MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK
STT3PF30L
MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6