Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
TK35N65W,S1F
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK35N65W,S1F-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 35A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247
Inventar:
15 Piese Noi Originale În Stoc
12890304
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
U
Y
S
B
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK35N65W,S1F Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
DTMOSIV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
35A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 2.1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4100 pF @ 300 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
270W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
TK35N65
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
TK35N65W
Informații suplimentare
Alte nume
TK35N65W,S1F(S
TK35N65W,S1F-DG
TK35N65WS1F
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFX80N60P3
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
3
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFX80N60P3-DG
PREȚ UNIC
11.27
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFX64N60P3
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
1060
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFX64N60P3-DG
PREȚ UNIC
8.28
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TPWR8503NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
TPC6011(TE85L,F,M)
MOSFET N-CH 30V 6A VS-6
2SJ377(TE16R1,NQ)
MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
TK4P60DB(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK