Numărul de produs al producătorului:
TK35N65W,S1F
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK35N65W,S1F-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 35A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247
Inventar:
15 Piese Noi Originale În Stoc
12890304
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
UYSB
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK35N65W,S1F Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
DTMOSIV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
35A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 2.1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4100 pF @ 300 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
270W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
TK35N65
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TK35N65W,S1F(S
TK35N65W,S1F-DG
TK35N65WS1F
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFX80N60P3
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
3
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFX80N60P3-DG
PREȚ UNIC
11.27
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFX64N60P3
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
1060
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFX64N60P3-DG
PREȚ UNIC
8.28
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TPWR8503NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
TPC6011(TE85L,F,M)
MOSFET N-CH 30V 6A VS-6
2SJ377(TE16R1,NQ)
MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD